Proprietatile Conductoare ale Materialelor

Proprietatile Conductoare ale Materialelor

Determinarea dependentei proprietatilor conductoare ale materialelor de campurile termice si electromagnetice.

Cu ajutorul unui ohmetru se va masura rezistenta unei probe semiconductoare intrinseci de Ge (se masoara rezistenta intre borna verde-galben si cea neagra) si rezistenta unei probe metalice de Ni (se masoara rezistenta intre borna rosie si cea neagra). Aceste probe sunt introduse intr-o etuva a carei temperatura variaza suficient de lent pentru ca un set de doua masuratori consecutive sa se faca in aproximativ aceleasi conditii termice.

Avand dimensiunile probelor (pentru proba de Ge si sectiunea , iar pentru Ni si sectiunea ) din formula se determina , iar .

Se traseaza graficele rezistivitatii si conductivitatii ca functie de temperatura pentru cele doua probe:

Se calculeaza coeficientul de temperatura al rezistivitatii pentru cele doua probe (in jurul valorii de ):

unde este panta dreptei ce aproximeaza graficul rezistivitatii.

Rezulta:

Stiind ca dependenta conductivitatii de temperatura este data de relatia se traseaza graficul din care, folosind relatia se determina banda interzisa pentru Ge.

Deci

Se utilizeaza un montaj format dintr-o fotorezisetenta inseriata cu o rezistenta de valoare , inchis intr-o incinta in care nu patrunde lumina din exterior.

Determinarea caracteristicii curent-tensiune pentru fotorezistenta la intuneric.

Se conecteaza grupul la o sursa de tensiune continua reglabila. Se variaza tensiunea de alimentare in intervalul 1V-15V si se masoara tensiunea pe fotorezistenta:

Se traseaza caracteristica . Se determina rezistenta la intuneric a fotorezistentei ca fiind panta acestui grafic:

Deci: .

Determinarea dependentei dintre rezistenta fotorezistorului si fluxul luminos incident.

Pentru aceasta se alimenteaza LED-ul la o tensiune de 10V. Se pozitioneaza fotorezitorul la distanta aproximativa de LED si se masoara tensiunea pe fotorezistenta pentru patru valori ale tensiunii de alimentare a grupului . Se repeta masuratorile pentru alte doua pozitii ale fotorezistorului aflate la distantele si . Prin modificarea distantei fluxul incident pe va varia dupa o lege , astfel si , fiind luat ca referinta.

Se traseaza caracteristicile pentru cele trei valori ale fluxului. Din panta acestor grafice se determina rezistenta fotorezistentei la cele trei valori ale fluxului:

Folosind aceste valori se traseaza graficul luandu-se ca referinta pe axa abciselor valoarea :