TEST SEMICONDUCTOARE, JONCTIUNEA P-N

TEST SEMICONDUCTOARE, JONCTIUNEA P-N

Pentru itemii de mai jos bifati raspunsul sau rapunsurile corecte

1.Un semiconductor este un material cu structura(bifati raspunsul corect)

a.amorfa

b cristalina

c.matrice geometrica spatiala

2. Atomul de siliciu are ca electroni de valenta
a. 3 electroni

b. 4 electroni

c. 5 electroni

3. Siliciul este un element din grupa
a. a -V-a

b. a -IV-a

c. a-III-a

4. Imaginea reprezinta (bifati afirmatiile adevarate ).

a. o structura cristalina de tip cubic a unui semiconductor (Si)

b. atomii de Si in retea si electronii de valenta gravitand pe orbitele legaturilor covalente

c. un material amorf.

5.Intr-un semiconductor intrinsec (pur) electronii de conductie apar in urmatoarele situatii:

a.semiconductorul este dopat cu elemente pentavalente

b.semiconductorul se afla la temperatura camerei (20 grade Celsius)

c semiconductorul este bombardat cu radiatii luminoase

6.In situatia in care temperatura unui semiconductor creste ,numarul electronilor liberi(de conductie)

a .creste

b. scade

c .ramane constant

7.Intr-un semiconductor intrinsec o pereche electron -gol apare atunci cand:

a.creste temperatura semiconductorului si se rupe o legatura covalenta

b semiconductorul intrinsec este la temperatura 0 K.

c.perechile electron gol pot fi generate prin polarizarea semiconductorului cu o sursa de tensiune .

8.Pentru un semiconductor pur (intrinsec) ,sunt adevarate informatiile :

a.electronii sunt purtatori majoritari

b.golurile sunt purtatori minoritari

c.numarul de electroni este egal cu numarul de goluri

9. Figura de mai sus reprezinta :

a.o joncitune p-n

b.un semiconductor de tip n nepolarizat

c.un semiconductor de tip n polarizat

10. Polarizarea semiconductorului va determina in structura semiconductorului de tip n :

a.deplasarea electronilor in directia zonei de potential (+)

b. deplasarea electronilor in directia zonei de potential (-)

c.deplasarea golurilor in zona de potential( -)

11.Datorita polarizarii semiconductorului de tip n ,in structura va apare un curent de electroni :

a.mai mic decat in cazul unui semiconductor intrinsec

b. mai mare decat in cazul unui semiconductor intrinsec

c.nu exista current prin structura .

12.Electronii sunt purtatori majoritari intr-un

a. semiconductor de tip p

b. semiconductor de tip n

c. semiconductor intrinsec

semiconductor de tip n

13.Electronii sunt purtatori minoritari intr-un:

a. semiconductor de tip p

b. semiconductor de tip n

c. semiconductor intrinsec

14.Golurile sunt purtatori majoritari intr-un

a. semiconductor de tip p

b. semiconductor de tip n

c. semiconductor intrinsec

15.OKGolurile sunt purtatori minoritari intr-un

a. semiconductor de tip p

b. semiconductor de tip n

c. semiconductor intrinsec

16.Figura reprezinta ;bifati afirmatiile adevarate

a.un semiconductor intrinsec

b.o jonctiune p-n cu zona de sarcina spatiala

c.o jonctiune p-n polarizata direct

17.Zona de sarcina spatiala din zona jonctiunii p-n se formeaza datorita :

a. fenomenului de difuzie a electronilor din zona p in zona n

b. fenomenului de difuzie a electronilor din zona n in zona p si difuziei golurilor din zona p in zona n

c . fenomenului de difuzie a golurilor din zona p in zona n

18 In zona jonctiunii p-n ,apare o zona de potential electric pozitiv datorita :

a.difuziei electronilor din zona n spre zona p

b. difuziei golurilor din zona n spre zona p

c difuziei golurilor din zona p spre zona n

19. In zona jonctiunii p-n ,apare o zona de potential negativ datorita :

a.difuziei electronilor din zona n spre zona p

b. difuziei golurilor din zona n spre zona p

c difuziei golurilor din zona p spre zona n

20.Zona de sarcina spatiala care apare la jonctiunea n-p nepolarizata are o latime de ordinul

a.mai mica decat 1μm

b.mai mare decat 1mm

c mai mica decat 1nm

21.In cazul jonctiunii p-n, zona de sarcina spatiala are urmatoarele proprietati :

a.favorizeaza difuzia toala a purtatorilor in cele 2 zone p si n

b.opreste difuzia purtatorilor in cele 2 zone p si n .

c. prezinta un un potential electric de semn (+) in zona n si de semn (-) in zona p

22.Tensiunea specifica unei jonctiuni p-n pe Si are valoarea aproximativ

a. 7 V

b. 0,7 V

c. 700mV

Tensiunea specifica unei jonctiuni p-n la Ge are valoarea aproximativ

a. 3 V

b. 0,3 V

c. 0,7V

24.In cazul figurii sunt adevarate afirmatiile

a.este o jonctiune n-p polarizata direct

b. a.este o jonctiune n-p polarizata invers

c. zona de sarcina spatiala are rezistenta de valoare mare

25In cazul figurii sunt false afirmatiile

a.este o jonctiune n-p polarizata direct

b. a.este o jonctiune n-p polarizata invers

c. zona de sarcina spatiala are rezistenta de valoare mare

26 .In cazul unei jonctiuni p-n polarizate direct sunt adevarate afirmatiile

a. se comporta ca un comutator deschis

b. se comporta ca un comutator inchis

c. are rezistenta mica de ordinul zeci de Ω

27 In cazul unei jonctiuni p-n polarizate invers sunt false afirmatiile :

a. se comporta ca un comutator deschis

b.inchis

c.are rezistenta mare de ordinul MΩ

28.Un material semiconductor dopat are rezistivitatea de valoare mica atunci cand :

a.numarul de electroni liberi (de conductie ) este mic

b. numarul de electroni liberi(de conductie )    este mare

c.nu are importanta numarul de electroni liberi

29. Proprietatile fizice si chimice ale unui element chimic sunt determinate de :

a.numarul electronilor de valenta

b.orbitalul electronilor

c. rezistivitatea elementului chimic

30.In cazul unui semiconductor, la procesul de conductie participa :

a.nucleul atomic .

b.electronii de valenta .

c.electronii liberi .

31. In cazul figurii sunt false afirmatiile

a.este o jonctiune n-p polarizata direct

b. a.este o jonctiune n-p polarizata invers

c. zona de sarcina spatiala are rezistenta de valoare mare