Tranzistorul TEC-J

Tranzistorul TEC-J are canalul dintr-un tip de semiconductor (s.ex. de tipul N) iar grila este conectata la canal prin intermediul unui semiconductor cu alt tip de purtatori majoritari (pentru exemplul dat, semiconductorul grilei este de tipul P). In figura 4.1 canalul este de tipul N iar grila este conectata la canal prin intermediul unui strat semiconductor de tipul P⁺. Tranzistorul este TEC-J cu canal n. Grila este polarizata asa fel ca jonctiunea care apare intre canal si zona semiconductoare a grilei sa fie blocata (polarizare inversa). In cazul figurii 4.1. grila trebuie sa fie negativa in raport cu canalul.

Jonctiunea fiind polarizata invers zona de golire se extinde mai mult in semiconductorul mai slab dopat, se extinde deci in zona canalului. Extinderea zonei de golire micsoreaza sectiunea canalului, adica micsoreaza sectiunea de trecere a electronilor care pleaca de la sursa, prin canal, catre drena. Pentru ca electronii trebuie sa plece de la sursa, campul electric din interiorul canalului trebuie sa fie orientat de la drena catre sursa (electronii au sarcina negativa si se deplaseaza invers liniilor de camp). Aceasta necesitate impune ca drena sa fie polarizata pozitiv fata de sursa.

Zona P din figura 4.1 se numeste substrat. Grila este legata la electrodul substratului S_S ,

asa incat sectiunea canalului sa se modifice si prin intermediul acestei jonctiuni aflata in polarizare inversa.

In figura 4.2 este prezentat simbolul TEC-J cu canal N precum si polaritatea tensiunilor care se aplica electrozilor pentru ca sa poata fi modificat curentul prin canal - curentul care se inchide de la drena la sursa (electronii avand sarcina negativa circula invers decat curentul pe care il determina).

Sectiunea canalului se micsoreaza crescand tensiunea de polarizare inversa a jonctiunii grila - canal.

purtatorii de sarcina provenind de la sursa intalnesc in calea catre drena o zona de inalta rezistenta.

Principiile de modificare a curentului I _D, in cazul TEC-J prin modificarea tensiunii unei jonctiuni polarizate invers iar in cazul TEC-MOS prin modificarea tensiunii aplicate unui condensator, determina valoarea foarte mica a curentului absorbit de electrodul de comanda (grila), rezultand un consum foarte mic de putere pentru comanda (specific acestui tip de tranzistor).