| CATEGORII DOCUMENTE |
| Aeronautica | Comunicatii | Electronica electricitate | Merceologie | Tehnica mecanica |
ANALIZA DE CURENT CONTINUU
Dioda semiconductoare - polarizare directa
Se completeaza tabelul , valabil pentru temperatura nominala, tNOM = 27 oC.
|
VCC [V] | ||||||||
|
I(D1) [mA] |
28,257n |
240,39n |
1,8843u |
14,346u |
111,39u |
907,21u |
6,595m |
32,42m |
|
I(D2) [mA] |
86,46n |
685,08n |
4,937u |
34,365u |
244,02u |
1,697m |
11,71m |
79,51m |
Folosind temperatura ca parametru pentru analiza de curent continuu se determina caracteristica diodei D2 in polarizare directa la urmatoarele temperaturi: t1 = 0oC, t2 = 50oC si t3 = 100oC si se completeaza tabelul
|
VCC [V] | |||||||||
|
I(D2) [mA] |
t1 = 0 oC |
11,038n |
103,65n |
902,01n |
7,598u |
65,336u |
550,803u |
4,728m |
38,828m |
|
t2 = 50 oC |
382,40n |
2,687u |
16,92u |
102,96u |
635,95u |
3,844m |
23,454m |
132,68m |
|
|
t3 = 100 oC |
5,201u |
29,807u |
149,52u |
717,13u |
3,470m |
16,391m |
76,785m |
320,35m |
Dioda semiconductoare - polarizare inversa
Se completeaza tabelul 1.3.
|
VCC [V] | ||||||||||
|
I(D1) [mA] | ||||||||||
|
I(D2) [mA] |
Folosind temperatura ca parametru pentru analiza de curent continuu, se determina caracteristica diodei D2 in polarizare inversa la urmatoarele temperaturi: t1 = 0oC, t2 = 50oC si t3 = 100oC si se completeaza tabelul
|
VCC [V] | ||||||||||
|
I(D2) [mA] |
t1 = 0 oC |
-544,1m |
-117,6m |
-1,487n |
-1,487n |
-1,471n |
-280p |
|||
|
t2 = 50 oC |
-705,8m |
-220,5m |
-76,06n |
-75,63n |
-75,17n |
-12,26n |
||||
|
t3 = 100 oC |
-852,9m |
-308,8m |
-1,403u |
-1,394n |
-1,384u |
-197,2n |
Observatii
Tensiunea de strapungere pt prima dioda este -100.03V, iar cea pentru a doua dioda este -99.85V.
Tensiunea de strapungere este dependenta de natura materialului semiconductor din care este construita dioda precum si de concentratia de impuritati, fiind cu atat mai mica cu cat aceasta din urma este mai mare.
TRANZISTORUL BIPOLAR
Determinarea caracteristicii de intrare IB(VBE) si caracteristicii de transfer IC(VBE
Se vizualizeaza curentul IB(Q1) si se completeaza tabelul
|
VBE [V] | |||||
|
IB(Q1) [mA] |
264.27n |
1,4263u |
8,228u |
50,252u |
320,453u |
Se vizualizeaza curentul IC(Q1) si se completeaza tabelul
|
VBE [V] | |||||
|
IC(Q) [mA] |
96,834u |
668,22u |
4,6108m |
31,768m |
217,052m |
Se vizualizeaza, pe acelasi ecran cu IC(Q1), expresia (7.049e-15)* exp(V(VBE:+)/0.026). Se va observa domeniul de valori ale tensiunii VBE pentru care cele doua caracteristici practic se identifica
Vizualizarea factorului de amplificare in curent continuu, IC(Q1)/IB(Q1) si completarea tabelului
|
VBE [V] | |||||
|
IC(Q)/ IB(Q) |
Comportarea cu temperatura, in regim static, a tranzistorului
Se vizualizeaza: IB(Q1) IC(Q1), si factorul de amplificare in curent continuu, IC(Q1)/IB(Q1) si se completeaza tabelul
|
T [oC] | |||||||||||
|
IB(Q) |
47,45n |
92,47n |
172,9n |
313,7n |
560,5n |
975,6n |
1,64u |
2,72u |
4,37u |
6,90u |
10,77u |
|
IC(Q) |
10,39u |
25,63u |
56,33u |
122,1u |
249,33u |
494,9u |
933,6u |
1,72m |
3,04m |
5,26m |
8,80m |
|
IC(Q)/ IB(Q) |
Observatii ?
Determinarea caracteristicii de iesire IC(VCE)
Se va vizualiza curentul de colector IC(Q1). Deoarece VBE este parametru al analizei, avand 4 valori (0,6 V, 0,65 V, 0,7 V si 0,75 V), se vor obtine 4 caracteristici de iesire (o familie de caracteristici). Se va observa modificarea lui IC(Q1) la cresterea tensiunii colector - emitor VCE.
Se vor citi valorile pentru IC(Q1) si VCE la limita regiunii de saturatie. Se va seta domeniul de valori pe axa X, de exemplu 0 .. 350 mV
|
VBE [V] | ||||
|
IC(Q1)s [mA] |
75,843u |
558,185u |
3,55,68m |
26,3m |
|
VCES [mV] |
100,162m |
134,933m |
89,658m |
144,318m |
Se vizualizeaza factorul de amplificare in curent IC(Q1)/IB(Q1)
Se citesc valorile acestui factor, corespunzatoare valorilor lui VCE, din tabel pentru fiecare valoare a tensiunii VBE si se completeaza tabelul
|
IC(Q1)/IB(Q1) |
VBE1[V] | ||||
|
VCE1[V] | |||||
Se vizualizeaza pe acelasi ecran curentul IC(Q1) (intreg setul de caracteristici) si expresia (20 -V(VCE:+))/1k
Se citesc valorile din PSF corespunzator fiecarei caracteristici (coordonatele fiecarei intersectii dintre dreapta de sarcina si IC(Q1)) si se completeaza tabelul
|
VBE1 [V] | ||||
|
VCE1 [V] | ||||
|
IC(Q1) [mA] |
Observatii, intrebari, concluzii
TRANZISTORUL CU EFECT DE CAMP
|
Politica de confidentialitate | Termeni si conditii de utilizare |
Vizualizari: 843
Importanta: 
Termeni si conditii de utilizare | Contact
© SCRIGROUP 2024 . All rights reserved
