Scrigroup - Documente si articole

     

HomeDocumenteUploadResurseAlte limbi doc
AeronauticaComunicatiiElectronica electricitateMerceologieTehnica mecanica


CIRCUITE BASCULANTE BISTABILE CU TRANZISTOARE

Electronica electricitate



+ Font mai mare | - Font mai mic



CIRCUITE BASCULANTE BISTABILE CU TRANZISTOARE



Scopul lucrarii

In aceasta lucrare se analizeaza func_ionarea in regim static _i dinamic a unui circuit basculant bistabil ( CBB ) cu tranzistoare npn. Se stabilesc rela_ii pentru tensiunile din bazele _i colectoarele tranzistoarelor, urmand ca valorile ob_inute sa fie verificate prin masuratori. Se exemplifica diverse modalita_i de comanda a CBB.

Considera_ii teoretice

Un CBB este un circuit caracterizat de doua stari stabile. In lipsa unei comenzi exterioare, circuitul poate ramane in oricare din cele doua stari un timp nedefinit. Func_ionarea circuitului basculant bistabil consta in comutarea dintr‑o stare in alta ca urmare a ac_iunii unui semnal exterior.

Regimul static al CBB‑ului cu tranzistoare

Schema electrica a unui CBB cu tranzistoare este data in figura 1. Daca schema este dimensionata corect, unul din tranzistoare este blocat, iar celalalt saturat. Sa consideram ca tranzistorul T1 este blocat, iar T2 este saturat. Pentru tranzistorul blocat vom neglija curentul rezidual al jonc_iunii BC (Ico). In aceste ipoteze, circula_ia curen_ilor este cea indicata in figura 1.

Figura

Se poate scrie:

(

de unde rezulta rela_ia:

(

Pentru calculul curentului IC2 vom scrie:

(

_i deci:

(

Pentru a asigura saturarea tranzistorului T2, acesta trebuie sa aiba un factor de amplificare b suficient de mare pentru a verifica inegalitatea:

(

Tensiunea in baza tranzistorului T1 este data de divizorul rezistiv format de R _i r intre VCEs _i EB _i se calculeaza cu rela_ia:

(

Pentru a asigura blocarea lui T1 trebuie ca VBE1 = VB1 < 0. Tensiunea in colectorul lui T1 se poate calcula analog:

(

Deoarece VC1 >0 iar VB1 < 0 rezulta VBC1 = VB1‑VC1 < 0 _i deci condi_iile de blocare pentru T1 (VBE1 < 0 _i VBC1 < 0) sunt indeplinite.

Schema de comanda a CBB simetrice

Dupa cum se _tie, CBB cu tranzistoare pot fi comandate pentru a trece dintr‑o stare stabila in alta stare stabila pe o cale comuna (pe baze sau colectoare) sau pe cai separate (pe baze sau colectoare). In figura 2.a. se indica o modalitate de comada in colectoare, rezultand un CBB de tip JK.

Figura (a)

Figura 2 (b)

In ipoteza T1 blocat _i T2 saturat, schema poate fi basculata in starea opusa daca la intrarea J corespunzatoare tranzistorului blocat se aplica un impuls dreptunghiular. Intr‑adevar, la ie_irea circuitului RC trece‑sus format din Rd _i Cd (cu constanta de timp =RdCd mai mica decat palierul pozitiv al impulsului dreptunghiular) se ob_in impulsuri scurte care ajung in colectorul tranzistorului T1. Impulsurile pozitive (vezi figura 2.b) nu influen_eaza CBB‑ul, datorita diodei de separare D1. In schimb cele negative determina scaderea tensiunii in colectorul lui T1 _i prin divizorul rezistiv format de R _i r scaderea tensiunii _i deci a curentului in baza tranzistorului T2, determandu‑l sa iasa din satura_ie. Ca urmare, curentul de colector al lui T2 scade _i tensiunea sa colector‑emitor cre_te. Aceasta varia_ie duce la cre_terea tensiunii baza‑emitor a tranzistorului T1, tensiune care determina intrarea sa in conduc_ie. Curentul care incepe sa circule prin T1 (IC1) detertmina la randul sau o scadere a tensiunii colector‑emitor. Daca amplificarea in bucla de reac_ie pozitiva descrisa mai sus este supraunitara, atunci acest proces se dezvolta in avalan_a, ducand in final circuitul in starea opusa cu T1 saturat _i T2 blocat.

Daca se dore_te rebascularea schemei trebuie sa se aplice impulsuri la intrarea K. Daca se aplica impulsuri simultane pe intrarile J _i K, circuitul va bascula pe fiecare front negativ al semnalului de intrare, devenind practic un CBB de tip T (vezi figura 3)

Formele de unda care descriu func_ionarea CBB‑ului de tip T sunt prezentate in figura 4.

Figura 3

Tensiunea Vc in punctul de comanda C este reprezentata in figura 4.b. Se observa impulsurile de amplitudine A a caror componenta continua este Ec. Valoarea VC1 din figurile 4.c _i 4.d este cea calculata cu rela_ia (6), iar valoarea VB1 din figurile 4.e _i 4.f este cea calculata cu rela_ia (5)

Figura 4 (a) (b) (c) (d) (e) (f)

Modul de lucru

Se realizeaza circuitul din figura 1 pentru Rc=1,8KW, R=8,2KW, r=3,3KW, T1 _i T2 de tip EFT 373 U (de germaniu, cu 50 < < 60), Ec=+5V, Eb= ‑ 1V. Considerand pentru tranzistoare VBEs = 0,18V , VCEs=75mV, cu rela_iile (5) _i (6) se calculeaza VB1 _i VC1. Se verifica condi_iile de blocare (VBE1=VB1<0, VBC1=VC1<0) pentru tranzistorul T1. Cu ajutorul rela_iilor (2) _i (3) se calculeaza IB1, respectiv IC2 _i se verifica condi_ia de satura_ie (4) pentru T1.

Dupa alimentarea montajului, cu voltmetrul pe scara de 10V, se masoara tensiunile in colectoarele celor doua tranzistoare, identificind tranzistorul blocat. Se masoara VC1 in colectorul acestuia (pe scara de 10V, apoi se trece voltmetrul pe scara de 1V _i se masoara VC2 _i VB2 pentru tranzistorul saturat. Pentru a masura VB1 < 0 se inverseaza bornele voltmetrului (borna '+' la masa _i borna '‑' in baza lui T1).

Cu un fir legat cu un capat la masa se atinge colectorul tranzistorului blocat. Se constata bascularea schemei. Se repeta apoi masuratorile de la punctul 3.2. Datele se trec in tabelul 1.

Tabelul 1

T1 saturat

T2 blocat

T1 blocat

T2 blocat

Tensiuni

calculat

masurat

calculat

masurat

VC1

VB1

VC2

VB2

Se completeaza circuitul realizat ini_ial astfel incat sa se ob_ina schema electrica din figura 5. Se aplica la intrarea circuitului de diferen_iere realizat cu Rd=3,3K _i Cd=6,2nF impulsuri dreptunghiulare de amplitudine A=3Vvv _i frecven_a f=1KHz. Cu un fir legat la anodul diodei se atinge colectorul tranzistorului blocat. Se observa bascularea schemei. Se repeta opera_ia pentru celalalt tranzistor.

Se realizeaza circuitul din figura 3 pentru Rd=3,3K , Cd=6,2nF , D1 _i D2 de tip EFD 105 (diode punctiforme, de gerrmaniu), celelalte valori fiind cele din figura 5. Aplicand la intrarea circuitului impulsuri dreptunghiulare de amplitudine A=3Vvv _i frecventa f=1KHz se vizualizeaza formele de unda din figura 4. Pentru ca semnalele sa apara corelate in timp se recomanda sincronizarea exterioara a osciloscopului cu semnalul de intrare. In acest scop se trece comutatorul de sincronizare a osciloscopului pe pozi_ia EXT _i cu un fir se aplica semnalul de intrare la borna de sincronizare exterioara. Se trece comutatorul de sincronizare (+ ‑) pe pozi_ia '‑', astfel incat declan_area bazei de timp a osciloscopului sa fie provocata de tranzi_ia negativa a semnalului de intrare. Cele _ase forme de unda vizualizate (cele din figura 4) se trec pe caiete corelate in timp. Daca osciloscopul nu permite sincronizarea exterioara, pentru a conserva totu_i corelarea in timp a semnalelor se va alege factorul de umplere al impulsurilor aplicate la intrare q = t/T 1/2 (vezi figura 4.a) de exemplu q = 1/3.

Se scade treptat amplitudinea impulsurilor de la intrare pana cand schema nu mai basculeaza. Se noteaza in acest caz amplitudinea minima Amin1 la care schema mai basculeaza. Se desfac condensatoarele de accelerare C=1nF. Din nou se determina amplitudinea minima Amin2 la care schema mai basculeaza. Se compara Amin1 _i Amin2.



Politica de confidentialitate | Termeni si conditii de utilizare



DISTRIBUIE DOCUMENTUL

Comentarii


Vizualizari: 3048
Importanta: rank

Comenteaza documentul:

Te rugam sa te autentifici sau sa iti faci cont pentru a putea comenta

Creaza cont nou

Termeni si conditii de utilizare | Contact
© SCRIGROUP 2024 . All rights reserved