CATEGORII DOCUMENTE |
Aeronautica | Comunicatii | Electronica electricitate | Merceologie | Tehnica mecanica |
Scopul lucrarii : Ridicarea caracteristicilor statice ale tranzistorului bipolar in conexiunile emitor-comun (EC) si baza-comuna (BC), determinarea unor parametrii de curent continuu si de regim dinamic al tranzistorului bipolar.
In fig.2.1
este reprezentat simbolul unui tranzistor NPN cu precizarea sensului curentilor
si tensiunilor asa cum vor fi folosite in aceasta lucrare. Intre aceste marimi
se pot scrie relatiile
(2.1) si
(2.2).
Comportarea tranzistorului bipolar in regim
continuu este definita de relatiile ce descriu dependenta curentilor si
de tensiunile aplicate
la bornele celor doua jonctiuni
si
. In regiunea activa normala, jonctiunea emitor-baza
polarizata direct si jonctiunea colector-baza polarizata invers, relatiile de
baza pentru curenti pentru un tranzistor NPN sunt:
(2.3) si
(2.4). In aceste relatii
este suprafata
jonctiunii baza-emitor,
este constanta de
difuzie a purtatorilor minoritari din baza (electronii) a caror concentratie
este
,
= 26 mV la temperatura
camerei,
este grosimea efectiva
a bazei data de relatia
(2.5) (
este grosimea fizica a bazei,
este bariera de
potential a jonctiunii colector-baza dependenta de concentratiile de purtatori
majoritari din baza
si din colector
, iar
este permeativitatea
electrica a materialului din care este confectionat tranzistorul) ; se constata
ca, la cresterea tensiunii de polarizare inversa a jonctiunii baza-colactor,
grosimea efectiva a bazei scade. Parametrul
este factorul de
curent al tranzistorului in conexiunea baza comuna si are expresia aproximativa
:
(2.6), unde
si
sunt lungimile de
difuzie ale electronilor (in baza) respectiv ale golurilor (in emitor) iar
si
sunt conductivitatile
electrice ale bazei, respectiv emitorului. Se remarca dependenta lui
de tensiunea colector
baza prin intermediul lui
.
Din punct de vedere practic, pentru determinarea regimului de functionare in curent continuu, este necesara cunoasterea carcateristicilor statice de intrare, de transfer direct si de iesire (numai doua dintr ele sunt independente), cu particularitati specifice fiecarui mod de conexiune. In conexiunea baza comuna, electrodul de referinta este baza iar in conexiunea emitor comun electrodul de referinta va fi emitorul.
Din punct de vedere dinamic,
la semnale mici (cand caracteristicile statice pot fi liniarizate in jurul;
punctului static de functionare), lent variabile, tranzistorului poate fi
caracterizat prin parametrii de cuadripol definiti prin ecuatiile (2.7) unde
,
,
si
sunt marimile variabile
sinusoidale, cu sensurile obisnuite acceptate pentru cuadripoli (fig.2.1). Parametrii
vor fi indexati
sau
dupa cum tranzistorul
este utilizat in conexiunea BC sau EC; de multe ori se noateaza
.
Caracteristica de intrare a tranzistorului in
conexiunea BC adica , se deduce din relatia 2.3, in care se inlocuieste
. Reprezentarea grafica este data in fig.2.2, unde s-a considerat ca parametru, tensiunea
. Se constata caracterul exponential al caracteristicii de
intrare si influenta mica a tensiunii de colector asupra caracteristicii de
intrare. Exponentul poate fi afectat de coeficientul
, ca la dioda semiconductoare, determinarea lui experimentala
facandu-se in acelasi mod.
Caracteristica de transfer este descrisa de
ecuatia (2.4) si este reprezentata grafic in fig.2.3; factorul de curent
, care da panta acestei drepte, variaza foarte putin cu
tensiunea
(prin intermediul lui
) si cu curentul de colector (scadere atat la curenti mici
cat si la curenti mari, dependenta care nu rezulta din traiectoria elementara a
tranzistorului). Factorul de curent al tranzistorului in conexiunea baza
comuna,
, se calculeaza cu relatia
(2.8) dar precizia acestei relatii este puternic afectata de imprecizia
masurarilor curentilor
si
, de valori foarte apropiate. Pentru masurarea factorului de
curent
se prefera relatia
(2.15), dupa masurarea factorului de curent in conexiunea EC,
.
este curentul
jonctiunii colector-baza polarizate invers cu emitorul in gol, de valoare
foarte mica pentru tranzistoarele realizate din siliciu si dependent de
tensiunea
.
Caracteristicile de iesire , sunt determinate de relatiile (2.4) si (2.6) si sunt
reprezentate grafic in fig.2.4. Se
constata dependenat foarte mica a curentului de colector de tensiunea
in regiunea activa
normala, caracteristicile fiind practic orizontale si echidistante, pentru
trepte constante ale curentului de emitor (ceea ce confera tranzistorului in
conexiunea BC caracterul de generator de curent). Pentru tensiuni
< 0, curentul de colector scade datorita polarizarii in
conductie directa si a jonctiunii colector-baza, ceea ce duce la functionarea
tranzistorului in regiunea de saturatie.
In circuitul elementar din fig.2.5, punctul static de functionare se determina prin rezolvarea
grafo-analitica a sistemului de ecuatii (2.9) unde valoarea curentului de emitor este fixata de circuitul de
intrare (in lucrare, de catre generatorul de curent). In fig.2.4 in planul caracteristicilor statice, se traseaza drepte de
sarcina si, pentru
, se obtine punctul static de functionare
cu coordonatele
; pe carcateristica de intrare punctul static de functionare
este
.
In punctul static de functionare,
se pot masura parametrii pentru caracterizarea
functionarii tranzistorului la semnale
variabile mici, conform relatiilor :
,
,
(2.10).
Parametrii si
se dau si relatiile
teoretice deduse din ecuatiile (2.3) si (2,4) sub forma
(2.11) si
(2.12).
Parametrul nu poate fi determinat
printr-o aceeasi metoda deoarece variatiile foarte mici ale tensiunii
(la variatii mari ale
tensiunii
) sunt afectate de fenomene secundare, cum ar fi modificarea
regimului termic al tranzistorului la variatia tensiunii de colector.
Caracteristica de intrare pentru tranzistorul in
conexiunea EC, data de functia are ca parametru
tensiunea
, care intervine, in principal, prin parametrul
. Ecuatia acestei caracteristici se obtine din relatiile
(2.1), (2.3) si (2.4) sub forma :
(2.13) si este reprezentata grafic in fig.2.6.
Se constata
forma exponentiala a carateristicii, cu o influenta redusa a tensiunii (prin intermediul
variatiei grosimii efective a bazei,
) si anularea curentului de baza pentru o valoare diferita de
.
Caracteristica de transfer este data de relatia (2.14) : unde
este factorul de
curent in conexiune EC a carui expresie dedusa din relatiile (2.1) si (2.4)
este :
(2.15), iar
este curentul de
colector masurat cu baza in gol si determinat prin relatia :
(2.16) .
Factorul de curent al
tranzistorului in conexiunea EC depinde de tensiunea colector-emitor (prin intermediul grosimii efective a
bazei, ) si de curentul de colector (aceasta dependenta este mai
puternica decat a factorului de curent
) ca in fig.2.7.
Factorul de curent se determina din
relatia (2.14) sub forma
(2.17).
Caracteristicile de iesire dau dependenta curentului
de colector de tensiunea avand ca parametru
curentul de baza,
, si sunt descrise de relatia (2.14); dependenta mai
puternica a factorului de curent al tranzistorului,
, de
, determina o inclinare mai puternica a caracteristicilor
fata de orizontala.
In zona tensiunilor mici, ecuatia (2.14)
nu mai este valabila, tranzistorul functionand in regiunea de saturatie.
Pentru circuitul elementar din fig.2.9, punctul static de functionare se determina prin metoda
grafo-analitica de rezolvare a sistemului format din ecuatiile : (2.18), curentul
fiind determinat de
circuitul de intrare (in cazul lucrarii, prin generator de curent constant).
In punctul static de
functionare, , caracterizat prin parametrii
, se pot definii parametrii
pentru semnal mic,
lent variabil :
,
,
(2.19).
La fel ca si , parametrul
nu se poate masura
prin aceasta metoda.
Intre parametrii in conexiunea EC si cei in conexiunea BC exista urmatoarele
relatii aproximative :
(2.20) ,
(2.21).
In anumite circuite electronice, tranzistorul
bipolar poate fi folosit in conexiune inversa prin schimbarea rolurilor terminalelor
emitor si colector. Parametrul ce caracterizeaza aceasta functionare este
factorul de curent in conexiune inversa, sau
. Cu exceptia unor tranzistoare special construite, factorul
de curent
, este foarte mic, de obicei, subunitar.
Se identifica montajul din fig.2.10, in care se foloseste un circuit ajutator in calitate de
generator de curent reglabil din potentiometrul
. Pentru curentii de baza necesari tanzistorului NPN in
conexiune EC se alimenteaza schema cu +5 V (aproximativ) la borna 2 fata de borna de masa (borna 1) si se
obtine la borna 3 un curent reglabil (in sensul sagetii) intre 0 mA ; pentru curentii de
emitor necesari aceluiasi tanzistor NPN in conexiune BC se alimenteaza schema
cu -5V la borna 2 fata de borna 1 (borna de masa) si se obtine la borna 4 un
curent reglabil intre 0 50 mA.
Se traseaza caracteristica de intrare a
tranzistorului in conexiunea BC conform schemei de masura din fig.2.11. Pentru aceasta, generatorul de
curent se va alimenta cu -5 V la borna 2 fata de borna de masa (borna 1),
iesirea generatorului de curent fiind borna 4. Pentru curentul de emitor se vor
lua valorile: 0.1; 0.2; 0.5; 1; 2; 5; 10; 20; 50; mA, iar tensiunea
colector-baza va fi de 5 V. Rezultatele se trec in tabelul 2.1 si se traseaza
caracteristica de intrare atat
la scara
liniara cat si la scara logaritmica (pentru curent) pentru determinarea
parametrului ca la dioda
semiconductoare.
Se traseaza cracteristica de transfer folosind schema de masura din fig.2.12. Intrucat valorile curentilor
si
sunt foarte apropiate,
se prefera masurarea curentului de baza pentru fiecare valoare a curentului de
emitor, iar curentul de colector se deduce din relatia (2.1). tensiunea
este de 5 V. Pentru
curentul de emitor se vor lua aceleasi valori ca la punctul precedent. Rezultatele
se trec in tabelul 2.2 si se traseaza caracteristic de transfer la scara
liniara. Pentru
=2 mA, se determina factorul de curent al tranzistorului in
conexiunea BC,
, cu relatia (2.8) in care
este valoarea
curentului de colector obtinut cu emitorul in gol .
Se vor compara
valorile obtinute pentru si
cu valorile rezultate
din relatiile (2.15) si (2.16), in care
are valoarea
determinata in acelasi punct de functionare la punctul 7.
Se traseaza caracteristicile statice de iesire in
conexiunea BC cu schema de masura din fig.2.12.
Pentru tensiunea de iesire se vor lua valorile 0.1; 0.5; 1; 2; 5; 10; V, iar curentul de emitor va fi fixat la valorile
2; 4; 6; 8; 10; mA . Rezultatele se trec in tabelul 2.3.
Pentru =2 mA, se inverseaza semnul tensiunii
si se determina
valoarea acestei tensiuni pentru care curentul de colector se anuleaza;
masuratoarea se va face cu atentie, deoarece anularea curentului de colector se
produce la valori mici ale tensiunii colector baza (circa -0.6 -0.7 V)
In planul caracteristicilor ridicate la punctul
precedent, se traseaza dreapta statica de functionare, conform relatiei
(2.9) in care = 3.6 kW si
=12 V si se determina coordonatele punctului static de
functionare, stiind ca
= 2 mA.
Se realizeaza monttajul
elementar din fig.2.5 cu = 3.6 kW si
=12 V si se masoara coordonatele punctului static de
functionare pentru
= 2 mA.. Se compara rezultatele obtinute prin cele doua
metode. In punctul de functionare astfel determinat, se calculeaza parametrul
pe caracteristica de
intrare, iar parametrii
si
se calculeaza folosind
rezultatele din tabelel corespunzatoare, avand in vedere dificultatea masurarii
unor variatii foarte mici ale curentului de colector direct pe grafic. Se vor
folosi relatiile (2.10)
Se alimentaeza generatorul de curent cu +5 V la
borna 2 (fata de borna 1); se traseaza caracteristica de intrare in conexiunea
EC,
, conform schemei de masura din fig.2.13 (bornele 1 si 6 sunt legate impreuna iar miliampermetrul
se conecteaza intre bornele 3 si 5); tensiunea
se va masura cu un
voltmetru electronic, de preferinta numeric. Se va masura tensiunea
pentru urmatoarele
valori ale curentului de baza:
= 0; 10; 20; 30; 40 si 50 mA. Intrucat caracteristica
de intrare
pleaca de la valori negative ale curentului de baza, se vor
pune in scurt circuit baza cu emitorul si se va masura
(schimband bornele
miliampermetrului). Se mentine curentul de baza la valoarea constanta
= 50 mA si se masoara
tensiunea baza-emitor pentru urmatoarele valori ale tensiunii colector-emitor :
0; 1; 5 si 10 V. Rezultatele se vor trece in tabelul 2.4. Se va trasa graficul
cu
=5V, la scara liniara.
Se masoara marimile necesare pentru ridicarea
caracteristicii de transfer, conform schemei de masura din fig.2.14. Tensiunea colector-emitor va fi = 5 V.
Se va nota,
mai intai, valoarea curentului de colector cu baza in gol, . Se va regla apoi curentul de baza pentru a se obtine
curenti de colector de valoare 0.5; 1; 2; 5; 10; 20; 50 mA, rezultatele fiind
trecute in tabelul 2.5.
In acelasi tabel, se va
trece factorul de curent al
tranzistorului, , calculat cu relatia (2.7).
Se masoara factorul de
curent al tranzistorului in conexiunea EC la alte doua tensiuni
colector-emitor, =1 V si
=10 V. Pentru fiecare dintre aceste valori, se determina, mai
intai
(cu baza in gol) si
apoi curentul de baza necesar obtinerii ac eluiasi curent colector
= 2 mA. Se va trasa
graficul
functiei de transfer , la scara liniara.
Se determina caracteristicle de iesire ale
tranzistorului in conexiune EC cu parametru , conform schemei de masura din fig.2.15. Pentru curentul de baza,
, se vor lua valorile
10; 20; 30; 40; 50 mA, iar curentul
colector se va masura pentru urmatoarele valori ale tensiunii colector-emitor
care asigura functionarea tranzistorului in regiunea activa normala : 0.5; 1;
2; 5; 10 V si se traseaza familia de caracteristici
la scara liniara.
Se efectueaza
masuratorile pentru ridicarea caracteristicilor de iesire in zona de saturatie
a tranzistorului si in zona activa normala invecinata, pentru tensiuni mici
intre colector si emitor. Se va folosi acelasi montaj si se vor considera
aceleasi valori ale curentului de baza iar tensiunea colector-emitor se
regleaza la valorile 0.1; 0.2; 0.3; 0.4 si 0.5 V. Rezultatele se trec in
acelasi tabelul 2.6 si se va trasa un grafic separat pentru aceasta zona la o
scara convenabila pentru .
Se realizeaza schema din fig.2.9 pentru determinarea punctului static de functionare Se
fixeaza = 12 V si se regleaza curentul de baza pana cand
= 2 mA. Se vor nota coordonatele punctului static de
functionare (
,
,
,
).
Pe caracteristicile statice de iesire ale tranzistorului desenate la punctul precedent, se traseaza prin interpolare, cu aproximatie, caracteristica statica corespunzatoare curentului de baza masurat anterior si dreapta de sarcina descrisa de ecuatia (2.18). La intersectia lor se obtine punctul static de functionare ale carui coordonate trebuie sa fie apropiate de cele masurate.
In acest punct static de
functionare, se vor determina parametrii (pe caracteristica de
intrare),
(pe caracteristica de
transfer),
(pe caracteristica de
iesire) conform relatiilor (2.19).
Se vor verifica relatiile de
legatura intre parametrii in cele doua conexiuni
(2.20) si (2.21), punctele de functionare fiind apropiate.
Se masoara factorul de curent al tranzistorului in
conexiune inversa, conform schemei de masura din fig.2.16 si folosind relatia
, unde
este curentul
inregistrat de ampermetrul din emitor pentru
= 200 mA, iar
este curentul
inregistrat de acelasi aparat pentru
= 0 (baza in gol).
Se vor vizualiza, pe caracterograf, caracteristicile statice de intrare si de iesire pentru ambele conexiuni ale tranzistorului. Se vor vizualiza si deformarile caracteristicilor de iesire la tensiuni de colector apropizte de tensiunea de strapungere, pentru ambele conexiuni.
Referatul va contine: schemele de masura pentru parametrii si pentru caracteristicile statice ale tranzistorului in cele doua conexiuni, tabelele cu rezultatele masuratorilor, graficele corespunzatoare si determinarile facute pe baza acestora asa cum se indica la modul de lucru; schemele elementare cu tranzistoare pentru determinarea punctelor statcie de functionare respective. In cazul unor neconcordante intre rezultatele teoretice si cele experimentale se vor da scurte justificari.
Politica de confidentialitate | Termeni si conditii de utilizare |
Vizualizari: 1658
Importanta:
Termeni si conditii de utilizare | Contact
© SCRIGROUP 2025 . All rights reserved