Parametrii de maxim interes

Parametrii de maxim interes

Transconductanta de semnal mic

   

pentru MOS cu canal N pentru MOS cu canal P

Se masoara in Amper/Volt².

Mai putem vorbi si de un factor de castig:

K_n= K^'_n(W_n/L_n) - pentru canal N

K_p= K^'_p(W_p/L_p) - pentru canal P

Cred ca e si asta o transconductanta dar nu stiu de care:

Pentru canale scurte sau tensiuni drena-sursa mici aceasta transconductanta se poate aproxima cu 1.

Capacitatile jonctiunilor

unde X_d este distanta dintre drena si oxidul portii

Capacitatea dintre poarta si substrat

Capacitatea dintre grila si drena care este aceeasi capacitate dintre grila si sursa

Capacitatea dintre drena si (BODY) ..jonctiunilor PN

dintre drena si (BODY), si nu este liniara si dependenta de tensiune.

C_jo este (ZERO-BIASED) capacitatea jonctiunii pe unitatea de arie.

V_D este tensiunea aplicata (BODY)

V_bi este potentialul jonctiunii de 0,64 V

m este panta diodei

N_A si N_D impuritatile donoare si acceptoare

Lungimea canalului:

Latime canalului:

Tensiunea de prag:

unde VTHO este tensiunea de prag a unui canal lung cand Vbs=0, K1 este primul coefcient BODY BIAS, Φ_S este suprafata potentialului, Vbs este tensiunea BULK-sursa, K2 este al doilea coeficient BODY BIAS, ΔVt_SCE efectu canalului scurt in Vt, ΔVt_NULD este efectul dopajului lateral neuniform, ΔVt_DIBL este efectul scazut de bariera al drenei al canalului scurt in Vt.

Cel mai important in tensiunea de preg este curentul "vagabond" I_off care arata o dependenta exponentiala cu 1/Vt.O tensiune de prag mare duce la un curent I_off mic.O tensiune de prag mica a tranzistoarelor MOS duce la un consum foarte mare a unui curent standby.

V_TH=

r=

Mobilitatea: parametrul cel mai important este U0, mobilitatea electronilor si golurilor.Mobilitatea efectiva se reduce la cateva efecte:polarizarea BULK, tensiunea de poarta.

unde: UA este mobilitatea campului scazut (in m²/V-s).Este primul coeficient de scadere a mobilitatii (in m/V).

UC este coeficientul de scadere a mobilitatii in BODY-efect (in m/V²).

V_FB este largimea benzii de tensiune (in V).Se calculeaza cu formula:

TOXE este grosimea oxidului (in m).

EU este coeficientul egal cu 1,67 pentru n-MOS si 1 pentru p-MOS

Vg_steff este o functie care se calculeaza cu :