Scrigroup - Documente si articole

     

HomeDocumenteUploadResurseAlte limbi doc
AstronomieBiofizicaBiologieBotanicaCartiChimieCopii
Educatie civicaFabule ghicitoriFizicaGramaticaJocLiteratura romanaLogica
MatematicaPoeziiPsihologie psihiatrieSociologie


Comutatoare electronice. Comutarea tranzistorului bipolar (Modelul real al diodei)

Fizica



+ Font mai mare | - Font mai mic



Comutatoare electronice. Comutarea tranzistorului bipolar

Comutator electronic = dispozitiv electronic care permite inchiderea sau deschiderea unui circiut, a unei cai de curent.

Prezinta deci doua stari :



inchis (on)

permite conductia curentului

rezistenta serie scazuta (nula)

tensiune reziduala nula

deschis (off)

nu permite trecerea curentului

conductanta de pierderi nula

curent rezidual nul

Trecerea dintr-o stare in alta trebuie sa se faca instantaneu.

Dioda semiconductoare


Cel mai simplu dispozitiv electronic ce poate fi folosit ca un comutator electronic.

Caracteristica reala:


Modelul real al diodei

= zeci de W

=ordinul MW

=0 ..0,85V, tipic 0,8V (tensiune de deschidere)

D', D'' - diode ideale

Problema

Se considera circuitul de limitare cu diode de mai jos:

Se cer:

Sa se reprezinte grafic caracteristica de transfer pentru cazul:

a)     D ideala

b)    D idealizata

c)     D reala

Sa se calculeze caracteristica de intrare

Sa se reprezinte forma de unda in timp a tensiunii de iesire si a curentului de intrare pentru cazul unei diode ideale.

Rezolvare:


a) Dioda ideala

Pentru UI>E dioda se deschide in conductie (va fi fir):

Circuitul devine:

Pentru Ui < E dioda e blocata:


1) b) Dioda idealizata

Cand dioda este deschisa ( U > UD )

Cand dioda este blocata ( U < UD) - intrerupere.

Rezulta ui > E + UD dioda se deschide

Pentru ui < E + UD dioda e blocata:


c)      Dioda reala

Tinand cont de modulul diodei reale avem:

- daca ui < E, dioda D'' e deschisa, D' blocata:

- daca ui > E + UD, dioda D' e deschisa, D'' blocata:

- daca E ui E + UD, atunci D' si D'' blocate


Caracteristica de intrare


Dioda ideala Dioda idealizata

Dioda reala


In reprezentare formei de unda s-a tinut cont de caracteristica de transfer u0(ui) pentru dioda ideala.

Probleme propuse


Problema 2

ui uo

R D

ui(t)

E

T

t0 t1 t

E

V

t0 -UD t

t

  Se da circuitul:


Probleme propuse:

a)      E b) ui u0

R

R D C D

ui u0

c)     d)

ui u0 ui u0

C

D

R D R

E

e)

C

ui u0

D

R

E

Regimurile tranzistorului bipolar

UBEsat - tensiunea de saturare a jonctiunii BE

UCEsat - tensiunea de saturatie a tranzistorului

ICsat - curentul de colector de saturatie

IBSi - curentul de baza corespunzator saturatiei incipiente

IBSi 1/b ICsat

n=IB/IBSi - -- gradul de saturatie.

 


VC

VB IB IC UCE

UBE

VE

Regimul activ invers

RAI

Blocare

BLOC

Regimul activ normal

RAN

Saturatie

SAT

VB < VE + UBE0

(UBE < UBE0)

IB = 0, IC = 0

tranzistorul nu exista in circuit.

UCE dat de circuit

UBE0 UBE <UBEsat

UBE = VB - VE

IB <IBSi

IC < ICsat

IC = b IB

UCE > UCEsat

UBE = UBEsat

IB IBSi

IC = ICsat

UCE = UCEsat

n

Din punct de vedere al comutatiei un tranzistor se afla in conductie atunci cand se afla in RAN sau in saturatie. In functie de impulsurile aplicate in baza, intre colector si emitor, tranzistorul indeplineste functia de comutator. Comutarea este facuta de obicei intre zonele de blocare si cele de saturatie. RAN este un regim intermediar.

In blocare:

VC

B

VB

VE

In RAN:

IB rx VC

VB UBE b IB

VE VE

In SAT

IB rx VC

VB UBEsat UCEsat

VE      VE



Problema 3

Considerand timpii de comutatie ai tranzistorului neglijabili in raport cu constantele de timp ale circuitului, se cere sa se calculeze formele de unda din colectorul tranzistorului la aplicarea unui impuls negativ treapta unitate de valoare E.

VCC

RB = 50k; VCC = 10V;

RC = 1k; E = 15V; C = 1nF

RB RC b UBE = 0.7V (comun)

u0 UCE

ui C B

Indiferent cat era valoarea tensiunii de la intrare, initial, se considera un regim stationar, prin condesator nu circula sarcina. Rezistenta RB alimenteaza baza tranzistorului cu un curent de baza

ceea ce face ca tranzistorul sa fie in conductie.

Se verifica:

deci T este saturat si U0 = UCEsat

 


uI

V1

E

t0

t

V2

tB

vB

UBE

t

V

v0

VCC

T

t0 t1 t

Prin aplicarea impulsului negativ de valoare E pe una din bornele condensatorului, variatia este transmisa instantaneu in baza tranzistorului pe care o negativeaza (in raport cu emitorul). Tranzistorul se blocheaza si circuitul devine:

Din figura alaturata rezulta ca atunci cand tranzistorul este blocat, tensiunea la iesire U0 = VCC

Din momentul t0 al blocarii, circuitul din baza este un circuit RC, capacitatea C se incarca prin intermediul rezistentei RB cu sarcina de la sursa VCC, astfel ca potentialul bazei va avea o evolutie de forma:

VB(t) = vB( )+[vB(0)- vB( exp(-t/tB

unde: t = RBC ; vB(0) = UBE - E = V ; vB( ) = VCC

Deci:

VB(t) =VCC+(UBE - E - VCC) exp(-t/tB

Aceasta reprezinta o lege exponentiala crescatoare de la valoarea initiala

UBE - E la valoare finala VCC. In momentul in care in baza se atinge valoarea de deschidere a tranzistorului, acesta intra in conductie, iar jonctiunea BE limiteaza cresterea mai departe la valoarea lui UBE.

VB(T) = UBE


Rezulta:

In acest moment ( t1 = t0 + T ) in condensator nu mai intra sarcina si rezistenta RB alimenteaza baza tranzistorului cu acelasi curent specific regimului stationar al circuitului pentru care T devine iarasi saturat (v0 = UCEsat ).

In concluzie, prin aplicarea unui singur impuls negativ treapta la intrare, iesirea a dat un impuls fereastra de inaltime VOH = VCC (VOL = UCEsat ) si de durata controlata T=T(tB,E).

Aplicatii: alarme la masini.



Politica de confidentialitate | Termeni si conditii de utilizare



DISTRIBUIE DOCUMENTUL

Comentarii


Vizualizari: 1523
Importanta: rank

Comenteaza documentul:

Te rugam sa te autentifici sau sa iti faci cont pentru a putea comenta

Creaza cont nou

Termeni si conditii de utilizare | Contact
© SCRIGROUP 2024 . All rights reserved